Toshiba anunció que ha logrado la tecnología de circuitos más rápida del mundo para DRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico) para el Sistema LSI, y lograr así una velocidad de 833MHz a una densidad de 32Mb.
La tecnología se aplicará al LSI de procesamiento de gráficos, y fue lanzada en la Conferencia Estatal de Circuitos Sólidos (ISSCC por sus siglas en inglés), realizada en San Francisco.Las memorias DRAM se aplican a los sistemas en chips para aplicaciones de gráficos. Conforme las imágenes de video cuentan con mejores niveles de definición, se requiere mayor velocidad de procesamiento y mayores densidades.Para lograr mayor velocidad de operación, Toshiba aplicó un “pseudo-sistema de dos puertos", tecnología que divide virtualmente en dos la memoria total, y después lee y escribe la información en paralelo y de forma alterna. Al reemplazar el sistema de lectura y escritura serial convencional con la nueva tecnología paralela, y optimizar tales circuitos como la estructura de comando, Toshiba logró el más alto nivel de desempeño de DRAM a 32Mb.
El sistema LSI con memoria DRAM incluida tendrá aplicación en los productos de consumo digitales de la siguiente generación, en las aplicaciones de juegos, teléfonos móviles, proyectores y otras aplicaciones relacionadas con despliegue de imágenes que requieren transferencia a alta velocidad de grandes volúmenes de información.
